Programa CrysFML liburutegian (Crystallographic Fortran Modules Library) eta DIFFaX programan (Difracted Intensities From Faulted Xtals) oinarrituta dago. Azken hori kristal geruzatuen difrakzio-intentsitate akastunak kalkulatzeaz arduratzen da, eta emaitza kualitatibo hutsak eskaintzen ditu. Hala ere, batzuetan datu horiek ez dira nahikoak mikroegituraren karakterizazio zehatza egiteko.
FAULTSek, bere aldetik, kode bat sortzen du DIFFaxek kalkulatutako intentsitateen eta datu esperimentalen arteko konparazio konputazionizatuaren emaitza gisa, eta, gainera, DIFFaxek bezala, 2D difrakzio-patroien eta kristal sinpleetarako elkarrekiko espazioan marra barreiatuen simulazioa ahalbidetzen du.
Azken bertsioa
FAULTS programaren azken bertsioan ezaugarri berri batzuk sartu dira, hala nola Levenberg-Marquard (LMA) minimizazio-algoritmoaren erabilera, kalkulu-denbora nabarmen bizkortzea ahalbidetzen duena.
Beste berrikuntza erabilgarri batzuk hauek dira: FullProf Studio eta VESTA duen ereduaren egiturak bistaratzea, bigarren faseetako intentsitate difraktatuak funts gisa sartzeko aukera, polinomio gisa tratatzen direnean hondoko puntuak fintzea edo DIFFaX sarrera-fitxategiak FAULTS formatuan automatikoki bihurtzea DIFFaX2FAULTS bihurgailuaren bidez.
Programa erabilgarria izango delakoan banatzen da, baina ez du bermatzen barne-akatsik izango ez duenik. Egileak (edo haien erakundeak) ez dira, inola ere, kalteen erantzule izango, programen erabilerak edo erabiltzeko ezintasunak eragindako edozein kalte orokor, berezi, intzidental edo kontsekuente barne.
Erlazionaturiko artikuluak
Programari buruz:
- Casas-Cabanas M., Reynaud M., Rikarte J., Horbach P., Rodríguez-Carvajal J., J. Appl. 49, 2016. DOI: 10.1107/S1600576716014473 (an authorised electronic reprint is available for FAULTS users in our Downloads section).
- FAULTS, a new program for refinement of powder diffraction patterns from layered structures. Casas-Cabanas M., Rodríguez-Carvajal J. and Palacín M.R. Z. Kristallogr. Suppl., 23:243-248, 2006. DOI: 10.1524/9783486992526-042 (article in open access).
- A general recursion method for calculating diffracted intensities from crystals containing planar faults. Treacy M.M.J., Newsam J.M. and Deem M.W. Proc. R. Soc. Lond. A, 433:499-520, 1991. DOI: 10.1098/rspa.1991.0062.
FAULTS programa erabiliz baterien materialei buruz egindako azterlanen adibideak:
- Coulombic self-ordering upon charging a large-capacity layered cathode material for rechargeable batteries Benoit Mortemard de Boisse;Marine Reynaud;Jiangtao Ma;Jun Kikkawa;Shin-ichi Nishimura;Montse Casas-Cabanas;Claude Delmas;Masashi Okubo;Atsuo Yamada
- Enhanced electrochemical performance of Li-rich cathode materials through microstructural control Jon Serrano-Sevillano;Marine Reynaud;Amaia Saracibar;Thomas Altantzis;Sara Bals;Gustaaf van Tendeloo;Montse Casas-Cabanas
- Order and disorder in NMC layered materials: a FAULTS simulation analysis Marine Reynaud;Montse Casas-Cabanas
- Novel Complex Stacking of Fully-Ordered Transition Metal Layers in Li4FeSbO6 Materials Eric McCalla;Artem Abakumov;Gwenaelle Rousse;Marine Reynaud;Moulay Tahar Sougrati;Bojan Budic;Abdelfattah Mahmoud;Robert Dominko;Gustaaf Van Tendeloo;Raphael P. Hermann;Jean-Marie Tarascon
Egileak:
- Montse Casas-Cabanas (CIC energiGUNE)
- Marine Reynaud (CIC energiGUNE)
- Jokin Rikarte (CIC energiGUNE)
- Pavel Horbach (Institut Laue Langevin)
- Juan Rodríguez-Carvajal (Institut Laue Langevin)
